重投天科申请加工晶锭外圆专利，提高晶锭加工的质量

0次浏览发布时间：2025-04-01 12:38:00

金融界2025年4月1日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市重投天科半导体有限公司申请一项名为“一种加工晶锭外圆的方法”的专利，公开号CN 119734145 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种加工晶锭外圆的方法和晶锭加工设备，在晶锭的待加工端面上，确定待加工端面的端面圆心，以及对分布于待加工端面上的测量点进行电阻率测量，得到每一个测量点的电阻率；确定圆形区域模板的半径，以端面圆心作为圆形区域模板的初始圆心，基于预设移动参数多次移动圆形区域模板，得到多个圆形区域，计算每一圆形区域所包含的测量点的方差，将各个方差进行比较，方差最小对应的圆形区域为保留圆形区域；基于保留圆形区域的圆心和其半径，利用晶锭加工设备对待加工端面以及晶锭的周面进行加工，得到以保留圆形区域为端面的圆柱晶锭，进而得到保留区域电阻率均匀的圆柱晶锭，以提高晶锭加工的质量。

天眼查资料显示，深圳市重投天科半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本220000万人民币，实缴资本216283.5万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市重投天科半导体有限公司参与招投标项目51次，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可117个。

本文源自金融界

本文分类：实时讯息
本文标签：端面圆形区域加工圆心深圳市电阻率方差
浏览次数：0 次浏览
发布日期：2025-04-01 12:38:00
本文链接：https://www.qcwz.net/news/04DxVwLJNL.html

上一篇 > 驼铃与春风的交响：敦煌作答文化传承新命题
下一篇 > 油价，暴涨！金价，再创历史！

重投天科申请加工晶锭外圆专利，提高晶锭加工的质量

相关文章

热门文章

最新文章